戴希，1971年7月出生于浙江杭州，理论物理学家，香港科技大学物理学系讲座教授。

　　戴希于1989年考入浙江大学，先后获得工学学士、理学硕士学位；1999年获得中国科学院理论物理研究所理学博士学位，之后前往香港科技大学从事博士后研究；2001年至2004年先后在美国波士顿学院和新泽西州立罗格斯大学物理系从事博士后研究工作；2004年进入香港大学物理系工作；2006年回到中国科学院理论物理研究所工作，担任研究员、博士生导师；2009年担任北京凝聚态物理国家实验室副主任；2011年获得国家杰出青年科学基金资助；2017年进入香港科技大学工作，担任教授；2023年获得第二期新基石研究员项目资助。

　　戴希的研究主要集中在两个领域。一是开发强相关材料电子结构的计算方法。另一个是在现实材料中寻找拓扑非平凡量子态。在第一个研究领域，他与合作者发展了Gutzwiller密度泛函理论(LDA+Gutzwiller)，并将其应用于研究许多相关材料，即铁磁金属、铁基超导体和拓扑近藤绝缘体。在第二个领域，他与英国物理学会和斯坦福大学的科学家组成的合作团队一起，提出了几种非常重要的拓扑绝缘体，即Bi2Se3，Bi2Te3和Sb2Te3。他还提出磁掺杂拓扑绝缘体薄膜可以实现量子反常霍尔效应，这在2013年得到了实验的证实。2015年，他的研究团队预测了第一个外尔半金属材料TaAs家族，并很快通过光发射和传输实验证实了这一点。